Модуль пам'яті для комп'ютера DDR3L 4GB 1600 MHz OEM Hynix (HMT451U6BFR8A-PBN0)
* УВАГА! Реальний вигляд товару може дещо відрізнятися від того, який зображений на малюнку. Ми радимо звіряти зовнішній вигляд, опис та технічні характеристики за артикулом на сайті виробника.
Наявність:
Немає на складі
Код товару: 529768
Артикул: HMT451U6BFR8A-PBN0
Гарантія: 24 міс.
Характеристики
- БрендHynix
- Кількість модулів 1
- Тип пам'яті DDR3
- Об'єм 4 Gb
- Частота 1600Mhz
- Латентність CL9
- Номінальна напруга 1.35V
- Комплект (Kit:1x4096MB)
- Країна Тайвань
Огляд
Пам'ять DDR3 4GB 1600 MHz Hynix (HMT451U6BFR8A-PBN0) допоможе прискорити обмін даними на комп'ютері. Оперативна пам'ять незамінна для виконання різних завдань, таких як: робота з об'ємними текстами, таблицями, графіками; архівування, шифрування, робота з базами даних; комп'ютерні ігри, а також інші завдання. DDR3 SDRAM - це третє покоління синхронної динамічної пам'яті з довільним доступом і подвоєною швидкістю передачі даних.
Переваги в порівнянні з DDR2:
- більш висока пропускна здатність (до 19200 МБ/ с),
- знижене тепловиділення (результат зменшення напруги живлення),
- поліпшене енергозбереження.
Дані модулі пам'яті створені на базі новітнього покоління технології DDR. Як і всі модулі пам'яті компанії, модулі пам'яті DDR3 спроектовані і створені таким чином, щоб повністю відповідати всім вимогам ентузіастів в області розгону ПК. Модулі пам'яті DDR3 забезпечують більш високу швидкість, більш низький час затримки, більш високу пропускну здатність і зменшене енергоспоживання в порівнянні з модулями пам'яті DDR2.
Переваги в порівнянні з DDR2:
- більш висока пропускна здатність (до 19200 МБ/ с),
- знижене тепловиділення (результат зменшення напруги живлення),
- поліпшене енергозбереження.
Дані модулі пам'яті створені на базі новітнього покоління технології DDR. Як і всі модулі пам'яті компанії, модулі пам'яті DDR3 спроектовані і створені таким чином, щоб повністю відповідати всім вимогам ентузіастів в області розгону ПК. Модулі пам'яті DDR3 забезпечують більш високу швидкість, більш низький час затримки, більш високу пропускну здатність і зменшене енергоспоживання в порівнянні з модулями пам'яті DDR2.
