Накопичувач SSD M.2 2280 512GB GIGABYTE (GP-GSM2NE3512GNTD)





* УВАГА! Реальний вигляд товару може дещо відрізнятися від того, який зображений на малюнку. Ми радимо звіряти зовнішній вигляд, опис та технічні характеристики за артикулом на сайті виробника.
Наявність:
Немає на складі
Код товару: 817672
Артикул: GP-GSM2NE3512GNTD
Гарантія: 60 міс.
Характеристики
- БрендGigabyte
- Тип пам'яті 3D TLC
- Форм-фактор M.2
- Інтерфейс PCI-E 3.0 x4
- Об'єм 512 GB
- Макс. шв. читання 1700 Mb/s
- Макс. шв. запису 1550 Mb/s
- Напрацювання на відмову 1 500 000 годин
- Країна Тайвань
Огляд
Технологія Host Memory Buffer
Засобами шини PCI Express технологія Host Memory Buffer (HMB) забезпечує прямий доступ до пам'яті в режимі DMA, що дає змогу SSD-накопичувачу задіювати ресурси встановленої на ПК DRAM-пам'яті, як альтернативу власному DRAM-буферу.Видатна продуктивність
Засобами шини PCI Express технологія Host Memory Buffer (HMB) забезпечує прямий доступ до пам'яті в режимі DMA, що дає змогу SSD-накопичувачу задіювати ресурси встановленої на ПК DRAM-пам'яті, як альтернативу власному DRAM-буферу.Видатна продуктивність
- Форм-фактор (габарити, мм): M.2 2280
- Інтерфейс: PCI-Express 3.0 x4, NVMe 1.3
- Заявлена місткість: 512 Гбайт
- Швидкість послідовного читання: до 1700 Мбайт/с
- Швидкість послідовного записування: до 1550 Мбайт/с
- Технологія HMB (Host Memory Buffer)
- Підтримка TRIM і SMART